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Si4542DY
Vishay Siliconix
N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C unless otherwise noted
40
30
20
0.10
0.08
10
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.06
0.04
0.02
0.00
I D = 6.9 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
0.4
0.2
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
30
25
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.0
I D = 250 μ A
20
- 0.2
15
- 0.4
T C = 25 °C
Single Pulse
10
- 0.6
- 0.8
- 1.0
5
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.10
1.00
10.00
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
t 1
0.1
0.01
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
P DM
t 1
t 2
1. Duty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 62.5 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
10- 4
10- 3
10- 2
10- 1
1
10
30
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 70666
S09-0868-Rev. G, 18-May-09
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